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Le gouvernement américain a récemment approuvé officiellement les demandes des fabricants sud-coréens de mémoire, dont Samsung et SK Hynix, les autorisant à poursuivre leurs exportations d'équipements de pointe pour la fabrication de puces vers les usines de semi-conducteurs chinoises jusqu'en 2026. Ainsi, ces deux grands fabricants sud-coréens, qui disposent d'importantes capacités de production en Chine, pourront maintenir la modernisation technologique et l'exploitation de leurs lignes de production sans craindre de rupture d'approvisionnement. Cette prolongation de l'exemption garantit la stabilité de la production de mémoire. La Chine demeure le premier marché mondial de semi-conducteurs et Samsung et SK Hynix y possèdent d'importantes usines, notamment à Xi'an et Wuxi. Auparavant, le gouvernement américain avait accordé aux fabricants sud-coréens et à TSMC une exemption permanente (VEU), leur permettant d'importer certains équipements réglementés sans avoir à déposer de demandes de licence individuelles. Cette approbation confirme les droits d'exportation jusqu'en 2026, ce qui est essentiel pour maintenir la stabilité de l'offre et de la demande mondiales de mémoire, en particulier pour la mémoire flash NAND et la DRAM. Le PDG de NVIDIA, Jensen Huang, a récemment souligné le rôle irremplaçable des partenaires coréens dans la chaîne d'approvisionnement de la mémoire HBM (High Bandwidth Memory), notamment pour la R&D et la production en série des futures puces HBM4, HBM5 et même HBM97, qui nécessitent toutes leurs capacités de production. La levée de l'embargo sur la H200 ! L'administration Trump instaure un droit de douane de 25 %. Plus remarquable encore que l'octroi de licences d'exportation aux fabricants coréens est la levée de l'embargo sur les puces d'IA. Plus tôt ce mois-ci, le président américain Trump a annoncé une nouvelle politique autorisant NVIDIA à vendre sa puissante puce d'IA H200 à la Chine. La H200 est considérée comme le deuxième produit le plus performant de NVIDIA, avec des capacités d'entraînement et d'inférence d'IA plus de deux fois supérieures à celles de la H200 « bridée » précédemment autorisée. Cependant, cette licence a un coût. Les États-Unis prélèveront une commission de 25 % (ou un droit de douane/taxe spécifique) sur ces puces d'IA haut de gamme exportées vers la Chine. Cette nouvelle réglementation s'applique également à d'autres fabricants américains de puces d'IA tels qu'AMD et Intel. En octobre, Jensen Huang a admis qu'en raison des restrictions à l'exportation, les ventes de NVIDIA en Chine avaient failli s'effondrer et que sa position sur le marché était rapidement érodée par des concurrents tels que Huawei. Désormais, malgré des frais élevés, l'entreprise dispose au moins de produits à vendre et peut regagner des parts de marché. Avec la suspension des droits de douane sur les anciennes puces, la guerre technologique sino-américaine entre-t-elle dans une nouvelle phase ? Par ailleurs, l'enquête menée en vertu de l'article 301, lancée sous l'administration Biden, s'est conclue le 23 décembre. La Maison-Blanche a décidé de suspendre temporairement les droits de douane sur les anciens modèles de semi-conducteurs chinois pour une durée d'un an et demi. Analyse : Du « blocus total » à l'« échange d'intérêts ». L'auteur estime que cette série de changements de politique démontre que la stratégie américaine en matière de contrôle des semi-conducteurs évolue d'un « blocus aveugle » vers un « contrôle précis » et plus transactionnel.

Le marché de la mémoire a récemment connu un revirement de situation inattendu. Alors que les principaux fabricants réorientaient activement leurs capacités de production vers les mémoires à large bande passante DDR5, LPDDR5 et HBM, réduisant progressivement l'offre de mémoire DDR4 existante, la demande pour cette dernière est restée forte, provoquant une frénésie d'achats et une pénurie. Les prix de la mémoire DDR4 ont même dépassé ceux de la mémoire DDR5, créant un phénomène rare d'« inversion des prix ». Face à cette situation, certains fabricants ont revu leurs plans d'arrêt de production et ont opté pour une prolongation de la production de mémoire DDR4 afin de tirer profit des opportunités de marché à court terme. Selon le cabinet d'études de marché TrendForce, Samsung et SK Hynix prévoyaient initialement d'arrêter progressivement la production de mémoire DDR4 d'ici fin 2025 ou début 2026, mais compte tenu de la forte demande et de la compétitivité des prix, ils ont décidé de prolonger cette production jusqu'en 2026. SK Hynix a officiellement informé ses clients que son usine de Wuxi, en Chine, augmenterait sa production de mémoire DDR4 pour répondre à la demande du marché. Micron, de son côté, maintient son plan initial et ne produira plus de mémoire DDR4. Dans une interview de juin, Sumit Sadana, vice-président exécutif et directeur commercial de Micron, a déclaré que les mémoires DDR4 et LPDDR4 de Micron étaient entrées en fin de vie (EOL), les dernières livraisons étant prévues dans les deux à trois prochains mois, et qu'aucune prolongation de production n'était envisagée. Analyse de marché : l'inversion des prix et les inquiétudes concernant l'approvisionnement stimulent la demande à court terme. Les analystes indiquent que l'écart de prix entre les mémoires DDR4 et DDR5 ne devrait pas durer. Une situation similaire s'était produite lors du passage des mémoires DDR2 et DDR3, durant généralement environ quatre mois. Samsung détenant une part de marché importante dans le secteur de la mémoire DDR4, les hausses de prix sont devenues sa principale source de profits à court terme. SK Hynix estime que la récente flambée des prix est principalement due à des « inquiétudes concernant l'approvisionnement », avec une forte augmentation de la demande à court terme, qui bénéficiera également d'une production accrue. Du point de vue des tendances du secteur, si la mémoire DDR5 représente l'orientation de développement à long terme, la durée de vie commerciale de la mémoire DDR4 s'est prolongée grâce à une forte demande. Ceci témoigne du fait que la mémoire DDR4 conserve toute sa valeur pour diverses applications et des considérations de coût, notamment sur le marché très concurrentiel des serveurs d'entreprise, des ordinateurs éducatifs et des PC d'entrée de gamme. Conclusion : la prolongation de la production de DDR4 est un facteur positif pour le marché. Cependant, les annonces récentes de Samsung et SK Hynix concernant l'extension de la production de mémoire DDR4 reflètent la demande persistante pour les mémoires de génération précédente, ce qui place la dynamique des prix et de l'offre au centre des préoccupations à court terme. À mesure que la capacité de production de mémoire DDR5 augmentera progressivement et que le plan d'arrêt de production de Micron sera mis en œuvre, l'inversion de prix et le déséquilibre entre l'offre et la demande s'atténueront progressivement. Pour les utilisateurs finaux et les assembleurs de PC, cette période reste cruciale pour suivre l'évolution des prix de la mémoire DDR4 et saisir les opportunités d'achat.

Le journal sud-coréen Electronic Times, citant des sources, a rapporté que Samsung avait conclu un accord avec ses principaux clients début mai pour augmenter les prix de la mémoire DRAM. L'augmentation précise variera selon la taille du client. Selon cet article, la hausse concernera à la fois la mémoire DDR4 et la DDR5 : la première augmentera d'environ 10 %, tandis que la seconde verra son prix augmenter d'environ 5 %. Outre Samsung, SK Hynix augmenterait également ses prix de DRAM d'environ 12 %, et Micron avait déjà informé ses clients d'une hausse imminente. Ces ajustements de prix, outre les fluctuations de l'offre et de la demande, sont principalement dus à l'impact des politiques tarifaires du gouvernement américain, qui ont entraîné des hausses de prix variables pour les composants, notamment la mémoire. Par conséquent, les prix des PC et autres produits technologiques pourraient augmenter d'ici la fin de l'année.

À l'instar du projet de loi américain sur les puces et la science (Chip and Science Act), la Corée du Sud semble envisager d'offrir des incitations fiscales similaires aux fabricants de puces afin d'attirer davantage d'entreprises et de les inciter à produire localement, renforçant ainsi sa compétitivité dans le secteur des semi-conducteurs. Le Wall Street Journal rapporte que la Corée du Sud prolongera les allégements fiscaux initialement prévus pour expirer à la fin de l'année et apportera un soutien financier aux fabricants de puces par le biais de la Banque de développement de Corée (KDB), banque publique. Cette dernière, dotée d'un budget de 26 190 milliards de wons (environ 4 milliards de dollars américains), vise à convaincre davantage de fabricants de puces de produire en Corée du Sud. La forte hausse de la demande de semi-conducteurs, alimentée par la dépendance aux puces dans les nouvelles méthodes informatiques telles que l'intelligence artificielle (IA), a entraîné une augmentation significative des exportations de semi-conducteurs. Ces exportations sud-coréennes ont progressé de 56 % en avril par rapport à l'année précédente. Cette croissance est attribuée à des entreprises comme Samsung et SK Hynix, qui ont considérablement augmenté leurs capacités de production de puces et de mémoire pour répondre à la demande croissante en IA. Samsung a récemment restructuré son activité semi-conducteurs afin d'améliorer sa compétitivité sur le marché, tandis que SK Hynix prévoit d'investir 146 milliards de dollars supplémentaires pour accroître sa capacité de production. Auparavant, le gouvernement américain avait déjà financé des fabricants de puces tels qu'Intel, TSMC et GlobalFoundries grâce au Chip and Science Act, et Samsung a également bénéficié de cette loi et prévoit de construire une nouvelle usine de semi-conducteurs au Texas.

Suite à la présentation par NVIDIA de son architecture d'affichage nouvelle génération, nom de code « Blackwell », SK Hynix et Micron ont également dévoilé les caractéristiques de leur mémoire haute densité HBM3e, en insistant sur son adéquation aux applications d'IA hautes performances. SK Hynix a annoncé que sa mémoire HBM3e est entrée en production de masse et que les premières livraisons sont prévues pour fin mars. L'entreprise a également souligné comment la technologie MR-MUF (Mass Reflow Molding Foam) améliore l'efficacité de la dissipation thermique de la mémoire de 10 %. Concernant les performances, SK Hynix a expliqué que sa mémoire HBM3e peut traiter 1.18 To de données par seconde et transférer 230 films Full HD en une seconde. De son côté, Micron a indiqué que sa mémoire HBM3e de 24 Go, dotée d'une architecture à 8 couches, sera livrée avec le GPU NVIDIA H200 au deuxième trimestre de cette année. Lors de la GTC 2024, Micron a présenté sa mémoire haute densité HBM3e de 36 Go, dotée d'une architecture à 12 couches. Par ailleurs, Micron a également exposé de la mémoire LPDDR5X destinée au processeur « Grace » et a répondu aux besoins de calcul en intelligence artificielle grâce au module mémoire LPCAMM2. Samsung, qui propose également de la mémoire haute densité HBM3e, devrait lancer la production en série au cours du premier semestre de cette année, en utilisant une architecture à 12 couches et en portant la capacité à 36 Go.

Western Digital a récemment annoncé, avec l'approbation de son conseil d'administration, la scission de son activité de mémoire flash afin d'optimiser son fonctionnement. Cette décision fait suite à l'échec de son acquisition de Kioxia, retirée la semaine dernière. L'entreprise estime que la séparation de ses activités de disques durs et de mémoire flash lui permettra de réaliser des gains de parts de marché plus importants. Actuellement, l'activité de mémoire flash de Western Digital provient principalement de SanDisk, acquis pour 160 milliards de dollars en 2016, et propose déjà diverses gammes de produits sous sa propre marque. Après avoir examiné ses plans de développement futurs, Western Digital prévoit de finaliser la scission de ses activités de matériel et de mémoire flash dès le second semestre 2024. Auparavant, grâce à l'acquisition de SanDisk, Western Digital était devenu le quatrième fabricant mondial de mémoire flash. L'entreprise avait initialement prévu d'étendre son activité par l'acquisition de Kioxia afin de concurrencer Samsung et d'autres acteurs du secteur, mais l'opposition de l'investisseur indirect de Kioxia, la société sud-coréenne SK Hynix, a entraîné l'échec de l'accord d'acquisition.

SK Hynix annonce le lancement de son SSD portable Beetle X31 à Taïwan, marquant ainsi son premier produit de stockage grand public commercialisé dans la région. Le Beetle X31 se distingue par son design élégant, ses vitesses de transfert de données de 10 Gbit/s et son système de gestion thermique performant garantissant des transferts de données stables. Inspiré du scarabée, son boîtier incurvé en alliage d'aluminium est à la fois robuste et favorise la dissipation de la chaleur, tandis que sa finition soignée rehausse son esthétique. Résistant aux chutes jusqu'à 2 mètres, il est assorti d'une garantie de 3 ans. Mesurant 74 x 46 x 14.8 mm et pesant seulement 53 grammes, il est compatible avec les appareils Windows, Mac et Android. Côté performances, le Beetle X31 exploite une mémoire supplémentaire pour accélérer les vitesses d'accès, atteignant des vitesses de lecture séquentielles jusqu'à 1 050 Mo/s et des vitesses d'écriture séquentielles jusqu'à 1 000 Mo/s. Un fichier de 1 Go peut être transféré en une seconde environ. Le Beetle X31 est actuellement disponible à l'achat sur les plateformes momo et PChome 24H, au prix public conseillé de 3 300 NT$ pour la version 1 To. Par ailleurs, Hynix a également annoncé le lancement de ses SSD, notamment le modèle phare Platinum P41, doté d'une interface PCIe 4.0 x4 NVMe et offrant des vitesses de lecture séquentielle de 7 000 Mo/s et d'écriture séquentielle de 6 500 Mo/s. Le prix public conseillé est de 2 799 NT$ pour la version 500 Go, 3 999 NT$ pour la version 1 To et 5 999 NT$ pour la version 2 To, tous bénéficiant d'une garantie de 5 ans.

Suite à l'annonce récente du SSD Solidigm P41 Plus, doté de la technologie QLC 144 couches et vanté pour son prix abordable et ses excellentes performances répondant aux besoins informatiques quotidiens, Solidigm présente le SSD P44 Pro, conçu spécifiquement pour les joueurs. ▲ Le SSD Solidigm P44 Pro est conçu pour le jeu et les charges de travail exigeantes. Toujours au format PCIe 4.0, il offre des vitesses de lecture séquentielles de 7 000 Mo/s et des vitesses d'écriture séquentielles allant jusqu'à 6 000 Mo/s, avec des vitesses de lecture et d'écriture aléatoires respectives de 1.4 M IOPS et 1.3 IOPS. Sa consommation de seulement 5.3 W répond aux besoins des joueurs et peut même servir d'extension de stockage pour les consoles PlayStation 5. Solidigm souligne que le SSD P44 Pro améliore l'efficacité d'accès pour la plupart des joueurs pendant leurs sessions de jeu et offre une durée de vie en écriture maximale de 1 200 TBW (téraoctets écrits), assortie d'une garantie de 5 ans. ▲ Il est toujours basé sur la norme PCIe 4.0 et affiche des vitesses de lecture séquentielles allant jusqu'à 7 000 Mo/s. ▲ Conçu pour répondre aux besoins des jeux, de la création de contenu et des charges de travail, il propose des capacités de stockage de 512 Go, 1 To et 2 To. Outre son adaptation aux environnements de jeu exigeants, il répond également aux exigences des stations de travail modernes, en offrant un équilibre optimal entre performances, durabilité et faible consommation d'énergie. De plus, l'utilisation du logiciel Solidigm Synergy permet d'optimiser davantage les performances du P44 Pro.

Suite à l'annonce récente de son projet d'accélérer les flux de travail de stockage cloud et d'entreprise grâce à la connectivité PCIe 4.0 et à la technologie QLC 144 couches pour créer de nouveaux composants de stockage, Solidigm a dévoilé son nouveau SSD PCIe 4.0, le Solidigm P41 Plus. Conçu pour répondre aux besoins informatiques quotidiens, il offre un prix abordable et des performances supérieures. Premier SSD de Solidigm, le P41 Plus est fabriqué avec de la mémoire NAND 3D 144 couches et prend en charge des vitesses de lecture séquentielles jusqu'à 4 125 Mo/s. Il est disponible au format M.2 2280 avec des capacités de 512 Go, 1 To et 2 To, tandis que les formats M.2 2230 et M.2 2242 seront également disponibles pour les entreprises. De plus, Solidigm souligne que ce SSD intègre sa solution logicielle Solidigm Synergy, qui comprend le pilote SSD et des outils logiciels permettant de surveiller l'état du périphérique de stockage sous Windows. Il inclut également le pilote de stockage Solidigm, qui gère la mise en cache en analysant la fréquence d'accès aux données et en conservant les données fréquemment utilisées en cache. Ainsi, les données restent accessibles plus rapidement même lorsque l'espace de stockage SSD est presque saturé. Sanjay Talreja, directeur général des produits et solutions clients, a déclaré : « Que ce soit pour profiter des derniers jeux PC, gérer des tâches professionnelles ou retoucher des photos de famille, le Solidigm P41 Plus offre les performances et le rapport qualité-prix exceptionnels que recherchent les utilisateurs. Grâce à un logiciel innovant, le Solidigm P41 Plus propose une combinaison unique de prix et de performances, améliorant l'expérience utilisateur et mettant en avant notre valeur ajoutée. » SK Hynix, propriétaire actuel de Solidigm, a annoncé avoir développé une mémoire NAND 4D à 238 couches, adaptée aux besoins de stockage des PC, smartphones et serveurs, et concurrençant ainsi la mémoire NAND 3D à 232 couches récemment annoncée par Micron. Elle se targue d'une augmentation de 50 % du débit de transfert de données et d'une réduction de 21 % de la consommation d'énergie lors des lectures de données par rapport à son prédécesseur, la production en série étant prévue pour le premier semestre 2023.

Après avoir annoncé le transfert de son activité de mémoire flash NAND à SK Hynix (Corée du Sud) en 2020, Intel avait déclaré vouloir conserver la marque Optane. Cependant, dans son rapport financier du deuxième trimestre de l'exercice 2022, Intel a confirmé l'arrêt progressif de cette activité et la fin du développement de nouveaux produits. Bien qu'ayant précédemment indiqué vouloir poursuivre le développement des produits Optane tout en mettant fin à sa collaboration avec Micron sur le développement et la production de solutions de stockage 3D Xpoint, il est clair qu'après le transfert de l'activité de mémoire flash NAND à SK Hynix, Intel a décidé d'abandonner la marque Optane et de recentrer ses activités futures sur les processeurs. Selon Pat Gelsinger, PDG d'Intel, l'adoption de l'architecture CXL, qui permet aux processeurs d'utiliser directement la mémoire pour accélérer les calculs avec les GPU et les FPGA (norme PCIe 5.0), rend obsolète le modèle d'application initial des produits Optane. Par conséquent, investir dans le développement de ces produits n'est plus justifié. La fermeture de la marque Optane entraînera une hausse des coûts d'Intel d'environ 5.59 millions de dollars, notamment en raison de l'écoulement des stocks Optane existants et de l'impossibilité de percevoir des indemnités pour rupture de contrat. Selon Intel, cette fermeture s'inscrit dans le cadre de sa stratégie de développement IDM 2.0 ; la recherche, le développement et la production des produits associés seront donc interrompus, et les produits déjà en développement seront annulés.