Samsung a annoncé officiellement le lancement de la production en série et de la commercialisation de la première mémoire HBM4 (High Bandwidth Memory 4) du marché. Cette annonce marque non seulement l'entrée officielle de la technologie HBM dans sa quatrième génération, mais témoigne également de la volonté de Samsung de prendre l'avantage grâce à ses procédés de fabrication avancés.
Ce nouveau produit utilise le procédé DRAM 1c (sixième génération, classe 10 nm) le plus avancé de Samsung et le combine avec une puce logique de base de 4 nm, poussant la vitesse de transmission à 11.7 Gbit/s, voire jusqu'à 13 Gbit/s.
Combinant la technologie de gravure logique 4 nm, elle abolit les frontières entre mémoire et calcul.
La plus grande avancée technologique de la mémoire Samsung HBM4 réside dans l'innovation de la « puce de base ».
Auparavant, la mémoire HBM était principalement gérée par les grands fabricants. Cependant, avec la génération HBM4, afin de pallier les limitations de bande passante et de performances, les puces de base ont commencé à utiliser des procédés de fabrication logiques avancés. Fort de son expertise en matière de mémoire et de fonderie de plaquettes, Samsung a directement adopté un procédé de gravure logique de 4 nm pour la fabrication des puces de base de la HBM4.
Principales caractéristiques techniques résumées :
• la vitesse:Les vitesses de transmission stables atteignent 11.7 Gbit/s (46 % plus rapides que la norme industrielle de 8 Gbit/s) et peuvent être surcadencées jusqu'à un maximum de 13 Gbit/s.
• bande passante :La bande passante d'une seule pile atteint 3.3 To/s, soit 2.7 fois celle de la génération précédente HBM3E.
• Capacité :採用12層堆疊 (12Hi)技術，提供24GB至36GB容量；16層堆疊 (16Hi)最高可擴充至48GB。
• Efficacité énergétique et dissipation de la chaleur :Grâce à l'optimisation des TSV basse tension et du réseau de distribution d'énergie (PDN), la consommation d'énergie est réduite de 40 % et les performances de dissipation de chaleur sont améliorées de 30 %.
Il ne s'agit pas seulement de vitesse, mais aussi de personnalisation.
Le vice-président exécutif de Samsung, Sang Joon Hwang, a déclaré que la HBM4 diffère de l'approche traditionnelle en intégrant directement une DRAM 1c et un processus logique de 4 nm, garantissant ainsi une marge de performance importante.
Samsung a également annoncé un calendrier ambitieux :
• HBM4 :Il est désormais produit en masse et en cours d'expédition.
• HBM4E :Les envois d'échantillons devraient débuter au cours du second semestre 2026.
• HBM personnalisé :Sa disponibilité est prévue à partir de 2027.
Cela témoigne de la collaboration active de Samsung avec les fabricants mondiaux de GPU (NVIDIA et AMD) et les fournisseurs de centres de données hyperscale, en tirant parti de l'intégration de ses technologies d'encapsulation internes et de ses services de fonderie de plaquettes pour réduire les délais de livraison et proposer des spécifications plus flexibles. Samsung prévoit que ses ventes de mémoire HBM tripleront en 2026 par rapport à 2025.
Analyse des points de vue
Cette guerre des mémoires HBM a finalement atteint son point culminant avec la 4e génération de HBM.
Auparavant, avec les générations HBM3 et HBM3E, SK Hynix avait dominé le marché grâce à sa technologie d'encapsulation MR-MUF, devenant le fournisseur exclusif ou privilégié de NVIDIA et mettant Samsung dans l'embarras. Mais avec la HBM4, la donne a changé : le traitement logique est devenu primordial.
C’est précisément là le principal atout concurrentiel de Samsung. Contrairement à SK Hynix, qui doit s’associer à TSMC pour produire les puces de base, Samsung est l’un des deux seuls fabricants de puces intégrés (IDM) au monde (avec Intel) à posséder simultanément des capacités de production de mémoire de pointe et de procédés logiques avancés. En théorie, cela confère à Samsung une plus grande autonomie en matière d’intégration de la mémoire HBM4, de maîtrise des rendements et de structure des coûts.
L'annonce par Samsung de sa « première production de masse » est un signal fort. Elle signifie que le rendement de son processus de fabrication de DRAM 1c s'est stabilisé et que l'intégration logique en 4 nm est désormais au point. Pour un marché qui a un besoin urgent de bande passante accrue afin d'alimenter les puces d'IA de nouvelle génération (telles que les NVIDIA Rubin ou AMD MI400), l'arrivée d'un nouveau fournisseur est indéniablement un atout. Pour Samsung, il s'agit d'une bataille cruciale pour reconquérir sa place de leader sur le marché de la mémoire.
