Samsung a annoncé plus tôt le début de la production de masseModule eUFS 1 d'une capacité de 2.1 To, ce qui devrait conduire le développement de la capacité de stockage intégrée des smartphones vers un niveau plus élevé.
Comme prévu par le marché, la capacité de stockage intégrée des smartphones continuera d'augmenter pour faire face à l'énorme volume de données généré par la bande passante accrue des réseaux 5G. En particulier, la demande de stockage temporaire pour le streaming vidéo, ainsi que la demande d'espace de stockage liée à l'augmentation du nombre de pixels des appareils photo des téléphones portables, nécessiteront une capacité de stockage intégrée plus importante pour accueillir ces données.
Le module eUFS 1 de 2.1 To de Samsung est construit avec la technologie V-NAND de cinquième génération de Samsung. Grâce à l'empilement de 5 couches de modules de mémoire flash de 16 Go et à l'adoption d'un nouveau contrôleur, ce module eUFS 512 de 1 To atteint une vitesse de lecture continue de 2.1 1000 Mo/s, soit environ cinq fois plus rapide que celle d'une carte mémoire micro SD classique et environ deux fois supérieure à celle d'un SSD SATA du commerce.
Si rien d'inattendu ne se produit, Samsung devrait utiliser ce module eUFS 2.1 dans son prochain nouveau téléphone, qui devrait être dévoilé avant le MWC 2019.Galaxy S10, et davantage de produits de téléphonie mobile seront disponibles à l’avenir.
