Afin de surmonter les limitations physiques de la mémoire HBM (High Bandwidth Memory) existante, Intel宣布Avec les filiales de SoftBankSAIMESUMORYLes deux parties ont signé un accord de coopération pour promouvoir conjointement une nouvelle technologie de mémoire appelée « Z-Angle Memory » (projet ZAM), dans le but de créer une norme de mémoire de nouvelle génération plus puissante et plus économe en énergie que la HBM existante dans les domaines de l'IA et du calcul haute performance (HPC).
Qu'est-ce que la mémoire d'angle Z ?
SAIMEMORY, dont le siège social est situé à Tokyo, au Japon, se concentre sur le développement d'une nouvelle architecture DRAM empilée.
L'architecture HBM, actuellement la plus utilisée dans les serveurs d'IA, offre une bande passante élevée, mais souffre encore de limitations liées à la complexité de son intégration et à sa consommation énergétique. La nouvelle architecture de SAIMEMORY affiche des performances supérieures aux normes HBM existantes, augmentant considérablement la capacité mémoire, réduisant la consommation énergétique et améliorant les possibilités d'intégration, ce qui permet de surmonter le problème de la limitation de la mémoire rencontré par les systèmes d'IA lors de leur expansion.
Dans le cadre de cette collaboration, Intel agira en tant que partenaire technologique, d'innovation et de normalisation, en tirant parti de ses avantages en matière de processus et d'emballage pour contribuer au développement ; tandis que SAIMEMORY sera responsable de l'innovation technologique et de la commercialisation ultérieure de la technologie ZAM.
Bénéficiant d'un soutien technologique national, la conception du prototype devrait être lancée en 2027.
Cette technologie n'est pas apparue ex nihilo ; elle repose sur le programme de recherche et développement Advanced Memory Technology (AMT), initié par le département de l'Énergie des États-Unis (DOE) et la National Nuclear Security Administration (NNSA). Ce programme était mené conjointement par trois grands laboratoires nationaux : Sandia, Lawrence Livermore et Los Alamos.
Intel avait déjà mené des recherches sur la liaison DRAM de nouvelle génération (NGDB) grâce à un financement de ce programme et a vérifié la faisabilité de la DRAM empilée avec une faible latence et une faible consommation d'énergie.
Joshua Fryman, membre d'Intel, a déclaré sans ambages : « L'architecture mémoire standard ne peut plus répondre aux besoins de l'IA. » Il estime que le projet NGDB définit une approche totalement nouvelle permettant d'optimiser les coûts de mémoire et d'améliorer les performances.
Le calendrier de la collaboration entre Intel et SAIMEMORY est le suivant :
• Premier trimestre 2026 :Officiellement mise en service.
• 2027:Présentation du prototype de mémoire d'angle Z.
• 2030:Pour parvenir à une production de masse commerciale.
Analyse des points de vue
Cette collaboration reflète deux tendances importantes du secteur : « l’inquiétude de HBM » et « l’approfondissement de l’alliance technologique américano-japonaise ».
Premièrement, le marché actuel de la mémoire pour l'IA est presque entièrement dominé par SK Hynix et Samsung, la capacité de production et le rendement de la mémoire HBM déterminant directement les livraisons d'accélérateurs d'IA. La collaboration d'Intel avec SoftBank constitue clairement une tentative de contourner la concurrence actuelle sur le marché de la mémoire HBM et de miser directement sur la technologie d'empilement de DRAM 3D de nouvelle génération.
Toutefois, l'objectif de commercialisation fixé à 2030 semble assez lointain. Face au développement fulgurant de l'IA, le marché de la mémoire aura probablement déjà adopté de nouvelles normes d'ici quatre ans. Le principal défi du projet ZAM sera de savoir s'il peut surpasser l'écosystème HBM mature en termes de coût et de rendement.
